Samsung начала коммерческое производство 20 нм памяти DDR3 DRAM DIMM 4 Гб
 

Hardware » Samsung начала коммерческое производство 20 нм памяти DDR3 DRAM DIMM 4 Гб
Компания Samsung объявила вчера о начале промышленного производства оперативной памяти 4 Гб DDR3 DRAM на основе 20 нм технологического процесса. Первые образцы данных чипов памяти были представлены ещё год назад. С производственной точки зрения эффективность выпуска 20 нм памяти на 30% выше, чем 25 нм DRAM DDR3 и почти в два раз...


Читать дальше на OSZone.net: "Samsung начала коммерческое производство 20 нм памяти DDR3 DRAM DIMM 4 Гб"