boss911

Японская компания Toshiba с гордостью сообщает о новейшем достижении в области изготовления интегральных микросхем флеш-памяти. Инженерам компании удалось разработать микрочипы встраиваемой NAND-флеш-памяти рекордно высокой информационной емкости – 128 Гб. Планируется, что устройства найдут применение в таких гаджетах, как смартфоны, планшетные персональные компьютеры, цифровые видеокамеры – все эти устройства в скором времени получат гораздо более вместительные флеш-накопители.


Добиться рекордно высокой плотности размещения данных в одной интегральной микросхеме удалось за счет размещения в одном корпусе сразу шестнадцати кристаллов флеш-памяти – емкостью 64 Гбит каждый. Их изготовление осуществлялось при помощи 32-нм технологического процесса. Помимо самих кристаллов памяти в корпусе интегральных микросхем находится и контроллер, полностью соответствующий спецификациям eMMC v4.4.

Размеры интегральной микросхемы NAND-памяти составляют 17 х 22 х 1,4 мм, скорости чтения/записи информации – 55 Мб/с и 21 Мб/с соответственно.

Планируется, что поставки микросхем-рекордсменов стартуют в сентябре, массовое их изготовление будет запущено в четвертом квартале 2010 года.


Источник: hardwareportal.ru