Что это за тайминг ОЗУ?
 

Память: G.Skill F3-12800CL9D-8GBSR - 4 планки по 4
МБ: Asus Z97-P

В Sis Sandra для банков памяти (1600) пишет:
Банк 0 : 4Гб DIMM DDR3 9-9-9-24 5-33-12-8 2T
Банк 1 : 4Гб DIMM DDR3 9-9-9-24 5-33-12-8 2T
Банк 2 : 4Гб DIMM DDR3 9-9-9-24 5-33-12-8 2T
Банк 3 : 4Гб DIMM DDR3 9-9-9-24 5-33-12-8 2T

Профиль @ 800МГц: Оптимальный : 9-9-9-24 5-33-12-6 2T 1.50V

Разница в предпоследней цифре: текущее 8 при допустимом 6. Но я не нашел ЧТО ЭТО за параметр нигде.
Полез в УЕФИ, нашел в настройках ОЗУ только одну 8 - tCWL, тайминг записи чего-то там. Поставил его 6, но в Сандре остался всё таже 8, тоесть похоже не оно.

Хотел посмотреть отдльно и точно tCWL, но ни в одном из привычных мне инструментов его даже не пишет, все дают только основную четвёрку таймингов.

Что это за паарметр такой, ил я чего-то не понял?
tCWL лучше 6, или венуть 8? Пока память не гонял, но при 11 таймингах один проверочный запуск на 1800 прошел без проблем.

Заранее спасибо.

tCWL вернул 8, по результатам тестов скорости.

Поставил 1800 - 9-10-9-28, таинственный параметр стал 9.

Вобщем разогнал до 1866 9-10-9-26 6-35-16-10 (вольтаж не трогал), получил таинственный параметр 10.
Видимо так и оставлю, вроде параметры получились хорошие, но буду раз замечаниям. Может 2 и выше возьмёт, но подымать вольтаж не охота - планки стоят тесно, греться будут.