lion_sergey
25-06-2007, 12:22
У меня следующая проблема: Стояли 2х512 Мб. Поставил дополнительно 1х1024 общий обьем определяется 1,5 Гб. Пробовал менять местами модули в разных комбинациях то показывает 512Мб то вообще не грузится. Может у кого такая проблема была. И если я куплю еще один модуль 1024 то будет общий обьем определяться 3Гб или опять непойми что будет определяться? Протестировал каждый модуль в отдельности. Ситуация следующая:
с первой планкой 512Мб, при установке ее в любой слот, комп не грузится вообще, без всяких сигналов;
со второй тестируемой планкой 512Мб тоже самое;
при установке планки 1024Мб в нечетные слоты ситуация как с планками по 512Мб, при установке в четные слоты комп тоже не грузится, но проходит один длинный писк.
При установке двух планок по 512Мб комп заводится в двухканальном режиме 128 бит и суммарном обьеме в 1Гб, при добавлении планки 1024Мб частота падает до 64бит, пишет что работа в одноканальном режиме и показывает суммарный обьем памяти 1,5Гб.
ЦП AMD Athlon 64, 2264 MHz Hammer
Системная плата Gigabyte GA-K8N-SLI (2 PCI, 2 PCI-E x1, 2 PCI-E x16, 4 DDR DIMM, Audio, Gigabit LAN)
Системная память 1536 Мб (PC3200 DDR SDRAM 2х512, 1х1024)
Тип BIOS Award Modular (05/11/06) версия БИОС F9
Видеоадаптер NVIDIA GeForce 6600 GT (256 Мб)
Звуковой адаптер Realtek ALC850
Дисковый накопитель SAMSUNG SP2504C SCSI Disk Device (250 Гб, 7200 RPM, SATA-II)
Оптический накопитель NEC DVD_RW ND-4571A ATA Device
[ DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Серийный номер F21776FFh (4285929458)
Дата выпуска Неделя 19 / 2006
Размер модуля 512 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
[ DIMM2: Samsung M3 68L6523CUS-CCC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Серийный номер F2177642h (1115035634)
Дата выпуска Неделя 19 / 2006
Размер модуля 512 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
[ DIMM3: Samsung M3 68L2923DUN-CCC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 68L2923DUN-CCC
Серийный номер F60FCFC2h (3268349942)
Дата выпуска Неделя 33 / 2007
Размер модуля 1024 Мб (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
с первой планкой 512Мб, при установке ее в любой слот, комп не грузится вообще, без всяких сигналов;
со второй тестируемой планкой 512Мб тоже самое;
при установке планки 1024Мб в нечетные слоты ситуация как с планками по 512Мб, при установке в четные слоты комп тоже не грузится, но проходит один длинный писк.
При установке двух планок по 512Мб комп заводится в двухканальном режиме 128 бит и суммарном обьеме в 1Гб, при добавлении планки 1024Мб частота падает до 64бит, пишет что работа в одноканальном режиме и показывает суммарный обьем памяти 1,5Гб.
ЦП AMD Athlon 64, 2264 MHz Hammer
Системная плата Gigabyte GA-K8N-SLI (2 PCI, 2 PCI-E x1, 2 PCI-E x16, 4 DDR DIMM, Audio, Gigabit LAN)
Системная память 1536 Мб (PC3200 DDR SDRAM 2х512, 1х1024)
Тип BIOS Award Modular (05/11/06) версия БИОС F9
Видеоадаптер NVIDIA GeForce 6600 GT (256 Мб)
Звуковой адаптер Realtek ALC850
Дисковый накопитель SAMSUNG SP2504C SCSI Disk Device (250 Гб, 7200 RPM, SATA-II)
Оптический накопитель NEC DVD_RW ND-4571A ATA Device
[ DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Серийный номер F21776FFh (4285929458)
Дата выпуска Неделя 19 / 2006
Размер модуля 512 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
[ DIMM2: Samsung M3 68L6523CUS-CCC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Серийный номер F2177642h (1115035634)
Дата выпуска Неделя 19 / 2006
Размер модуля 512 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
[ DIMM3: Samsung M3 68L2923DUN-CCC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 68L2923DUN-CCC
Серийный номер F60FCFC2h (3268349942)
Дата выпуска Неделя 33 / 2007
Размер модуля 1024 Мб (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)