OSZone News
25-05-2013, 13:30
http://www.oszone.net/figs/pics/hardlgs-Scorpion81-175996160951a05637ce9a6.jpg (http://www.oszone.net/21055/technique_for_creating_semiconductor_thin_films_at_the_atomic_scale_developed)Hardware (http://www.oszone.net/4480/News_Hardware) » Новая технология открывает дорогу полупроводниковым устройствам атомного уровня (http://www.oszone.net/21055/technique_for_creating_semiconductor_thin_films_at_the_atomic_scale_developed)
Учёные из Государственного Университета в штате Каролина разработали технологию производства тонкоплёночных проводников толщиной в один атом. Она может применяться в промышленном производстве для покрытия кристаллических пластин шириной от 50 мм. В работе использовался сульфид молибдена (molybdenum sulfide, MoS2) с физическими с... (http://www.oszone.net/21055/technique_for_creating_semiconductor_thin_films_at_the_atomic_scale_developed)
Читать дальше на OSZone.net: "Новая технология открывает дорогу полупроводниковым устройствам атомного уровня" (http://www.oszone.net/21055/technique_for_creating_semiconductor_thin_films_at_the_atomic_scale_developed)
Учёные из Государственного Университета в штате Каролина разработали технологию производства тонкоплёночных проводников толщиной в один атом. Она может применяться в промышленном производстве для покрытия кристаллических пластин шириной от 50 мм. В работе использовался сульфид молибдена (molybdenum sulfide, MoS2) с физическими с... (http://www.oszone.net/21055/technique_for_creating_semiconductor_thin_films_at_the_atomic_scale_developed)
Читать дальше на OSZone.net: "Новая технология открывает дорогу полупроводниковым устройствам атомного уровня" (http://www.oszone.net/21055/technique_for_creating_semiconductor_thin_films_at_the_atomic_scale_developed)