Мемристор: новый элемент в электронике

[Котяра]

По мнению HP, новая технология вполне может претендовать на роль универсальной памяти будущего, которая одновременно заменит используемую сейчас динамическую память с произвольным доступом и флэш-память.

http://news.yandex.ru/yandsearch?cl4url=www.svobodanews.ru/News/2008/05/06.html%3Fid%3D446475&country=Russia&cat=4

[Diseased Head]

Ну наконец пошли по правильному пути развития. Увеличение разновидностей базовых элементов.

Но лучши-б его назвали мемистор. Так созвучнее.

Ещё бы придумали, наконец, сумматор сигналов... Ваапще бы круто было.

[rizz]

по ссылке ошибку выдаёт, вот тут ещё есть http://rnd.cnews.ru/tech/news/top/index_science.shtml?2008/05/06/299475

Статья опубликована в Nature группой ученых из лаборатории информации и квантовых систем из HP Labs под руководством Стенли Уильямса (R. Stanley Williams). Элемент получил название "мемристор" - от английского слова memory (память) и resistor (резистор).

Слово это не новое - его предложил еще в 1971 г. сотрудник университета штата Калифорния в г. Беркли Леон Чуа (Leon Chua), который опубликовал тогда в журнале IEEE Transactions on Circuit Theory теоретические соображения о существовании еще одного пассивного элемента электронных схем в дополнение к известным ранее резистору, конденсатору, индуктивности. Теперь Чуа, заслуженный профессор университета в Беркли, сравнивает свое предсказание с тем, как Д.И. Менделеев предсказывал существование и описывал свойства еще неоткрытых элементов с помощью своей периодической системы.

Мемристор состоит из тонкого слоя диоксида титана, расположенного между двумя платиновыми электродами. Под действием приложенного напряжения происходит изменение кристаллической структуры диоксида титана. Это изменение приводит к увеличению сопротивления элемента в тысячи раз, причем при отключении источника тока элемент сохраняет изменения, возникшие при протекании через него заряда. Это свойство может быть использовано для создания элементов памяти нового типа, которые могут придти на смену нынешним DRAM, но, в отличие от последних, не теряющих информацию при отключении напряжения.

Разработчики описали действующий прототип мемристора, который использовали в экспериментальном коммутационном устройстве, способном разместить 100 Гбит информации на одной полупроводниковой пластине (нынешний рекорд для микросхем флэш-памяти - 16 Гбит).

Свое достижение исследователи из HP Labs смогли получить для элемента масштаба около 15 нм. По мнению д-ра Уильямса, размеры ячейки памяти можно сократить еще в несколько раз без изменения основных показателей элемента.

Скептики утверждают, что мемристор не является чем-то принципиально новым, в последнее время появилось немало работ с описанием различных типов энергонезависимой памяти (в частности, память на фазовых переходах). Однако высокая оценка работы профессором Л.Чуа позволяет надеяться на успешное развитие именно этого направления, хотя, в любом случае, для появления на рынке готовых микросхем потребуется 5-10 лет.
Ещё бы придумали, наконец, сумматор сигналов »
сумматор в двоичной системе счисления давно придумали
аналоговый да тоже на прецизионных ОУ можно, или ты про что?
тут самое главное, что элемент пассивный и память энергонезависимая получается, но насколько быстрая не написано

[Diseased Head]

rizz, я про аналоговый сумматор. И я про то чтобы зделать один базовый радоэлемент суммирующий сигналы от двух источников и выдаёт суммарный на третий вывод.

А с мемристором есть ещё один момент. Так как это один базовый элемент. То ячейка памяти, скорее всего, будет меньше. И, как следствие, объёмы памяти больше.

Может со временем придумают что-бы он запоминал не только заряд но и его велечину. Тогда можно будет зделать память основаную на большей системе счисления. Что также радикально увеличит объём памяти.

Одно обидно что инфы про этот мемистор мало. Тоисть то как он работает: вольт-амперная характеристика, схемы, режимы работы и т.п.